Caractérisation des défauts par attaque chimique dans les couches minces épitaxiales de silicium

par Riad Kharouf

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Directeur de thèse inconnu.

Soutenue en 1985

à Paris 11 , en partenariat avec Université de Paris-Sud. Faculté des Sciences d'Orsay (Essonne) (autre partenaire) .


  • Résumé

    Une technique de révélation de défauts par attaque chimique dans le silicium (dislocations, fautes d’empilement et S-pits) a été présentée et appliquée à l’étude des couches minces épitaxiales de Si élaborées par pulvérisation ionique. La présence d’une densité importante de défauts dans les couches est corrélée à la préparation in-situ du substrat (nettoyage thermique ou décapage ionique) et des conditions d’épitaxie.

  • Titre traduit

    Defect characterization by chemical etching in epitaxial thin films of silicon


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Informations

  • Détails : 1 vol. (123 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr., 4 f.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(1985)23
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-033850
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