Oxydation du silicium stimulée par bombardement électronique : contribution à l'étude du mécanisme de croissance et des propriétés des oxydes ultra-minces

par Philippe Collot

Thèse de doctorat en Micro-électronique

Sous la direction de Bernard Agius.

Soutenue en 1985

à Paris 7 .


  • Résumé

    Influence de paramètres de dépôt comme l'énergie du bombardement électronique, la température de croissance sur le processus de croissance. Caractérisation physico-chimique associée à des mesures électriques permettant de considérer la nature des oxydes ultraminces

  • Titre traduit

    Electron beam stimulated oxidation of silicon: contribution to the study of crystae growth process and ultra-thin oxide properties


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Informations

  • Détails : 1 Vol. (152 p.)
  • Annexes : 75 réf. bibliogr.

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris Diderot - Paris 7. Service commun de la documentation. Bibliothèque Universitaire des Grands Moulins.
  • Consultable sur place dans l'établissement demandeur
  • Cote : F7 (1985) 044
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PAR7 F7 1985
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