Mécanismes physiques dus a l'interface diélectrique semiconducteur dans le fonctionnement des transistors a effet de champ sur arséniure de gallium

par Daniel Benarroche

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Jean-Bernard Theeten.

Soutenue en 1985

à Paris 7 .


  • Résumé

    Description du fonctionnement du transistor MESFET et panorama des effets parasites. L'analyse expérimentale des phénomènes électriques est faite par la mise en oeuvre d'un système automatise. Celui-ci nous donne les moyens d'une caractérisation tant statique (trace des réseaux I (DS), V (DS), courant de fuite de grille), que dynamique (analyse spectroscopique des transitoires de courant et détermination des taux d'émission par la méthode I. T. S. Isothermal Transient Spectroscopy). Les éléments déduits de cette analyse, nous fournissent les bases de la modélisation et de l'interprétation des mécanismes a l'origine des effets parasites des transistors a effet de champ

  • Titre traduit

    Dielectric semiconductor interface physical processes gaas field effect transistor operation


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Informations

  • Détails : 1 Vol. (254 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 234-240

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