Couches de dioxyde de silicium obtenues par dépôt chimique à partir d'une phase gazeuse (C. V. D. ) : élaboration et caractérisation

par Mustapha Lemiti

Thèse de doctorat en Sciences. Electronique

Sous la direction de Pierre Pinard.

Soutenue en 1985

à Lyon 1 , en partenariat avec Institut national des sciences appliquées de Lyon (Lyon) (autre partenaire) .

Le président du jury était Pierre Pinard.


  • Résumé

    Mise au point d'un dispositif permettant d'elaborer des couches de sio::(2) a partir d'une phase gazeuse (c. V. D. ). Le procede consiste a hydrolyser un compose halogene (sicl::(4)) par de la vapeur d'eau, au voisinage d'un support de silicium suivant la reaction; sicl::(4) + 2h::(2)o + sio::(2) +4hcl. Les depots ont ete realises essentiellement a temperature ambiante. L'influence des parametres experimentaux sur la cinetique de depot a ete etudiee. L'analyse physico-chimique des couches ainsi obtenues (ellipsometrie, raman, auger, decharge luminescente) nous a renseignes sur la nature des liaisons, la stoechiometrie et le profil des impuretes dans la couche. Apres optimisation des pametres, des structures mos ont ete realisees pour etudier les defauts electriquement actifs dans l'oxyde et a l'interface si-sio::(2). Par les methodes classiques c(v), g(v), i(v),c(omega ,t), g(omega ,t), nous avons evalue la densite d'etats d'interface qui varie autour de 10**(11)ev**(-1)cm**(-2) et les charges dans l'oxyde a 10**(12) ch. /cm. L'influence de certains parametres experimentaux sur les proprietes electriques des structures mos a ete degage

  • Titre traduit

    Silicon dioxide films obtained by chemical vapor deposition (c. V. D. ) : elaboration and characterization


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  • Détails : 1 vol. (168 p.)
  • Annexes : Bibliogr. [9] p.

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