Etude de la géométrie optimale des périphéries des jonctions Planar

par Viviane Boisson

Thèse de doctorat en Sciences. Electronique. Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Jean-Pierre Chante.

Soutenue en 1985

à Lyon 1 , en partenariat avec École centrale de Lyon (autre partenaire) .


  • Résumé

    Les composants de puissance sont de plus en plus realises avec la technologie planar en remplacement de la technologie mesa. Les jonctions p-n realisees avec la technologie planar presentant une courbure au niveau de la jonction metallurgique, des techniques ont ete elaborees pour ameliorer la tenue en tension tels que les anneaux de champ, les electrodes de champ, les zones implantees en surface. . . Ce travail a pour but d'identifier les principes physiques de fonctionnement des gardes en peripherie et d'optimiser leur geometrie. Nous avons realise un logiciel de simulation bidimensionnelle permettant d'optimiser les structures planar. Ce logiciel fait largement appel aux techniques graphiques qui lui conferent une grande souplesse pour la definition des structures a etudier. Un autre avantage est sa grande versatilite puisqu'il permet de simuler toute sorte de peripheries realisees en technologie planar. Nous avons caracterise le comportement des anneaux de champ en developpant des experimentations electriques et optiques. Puis, nous avons etudie l'influence des parametres physiques et geometriques de la structure pour l'optimisation des anneaux. Une methode analytique a ete developpee pour obtenir une premiere approche de la geometrie optimale. Des resultats experimentaux sur les electrodes de champ et les passivants semi-isolants ainsi qu'une etude prospective par simulation numerique sur les zones implantees en surface sont egalement presentes

  • Titre traduit

    Study of the optimal geometry of planar jonction peripheries


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Informations

  • Détails : 1 vol. (176 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. [173]-176

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  • Bibliothèque : Ecole centrale de Lyon. Bibliothèque Michel Serres.
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  • Cote : T1229
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