Technologie des diodes IMPATT à haut rendement : à barrière métal-semiconducteur GaAs, à hétérojonctions GaInAs/InP

par Thao Boun

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Eugène Constant.

Soutenue en 1985

à Lille 1 .


  • Résumé

    Réalisation de diodes IMPATT à barrière métal-semiconducteur en GaAs susceptibles d'osciller en bande X, puis réalisation de diodes IMPATT à hétéro-jonctions du type GaInAs/InP. Les principaux problèmes technologiques sont abordés et analysés en vue d'établir des protocoles fiables d'élaboration de diodes IMPATT. Réalisation de contacts Schottky et ohmiques, gravure des matériaux, amincissement des substrats et mise en place de radiateurs intégrés pour améliorer les performances des dispositifs. Les études expérimentales et les nombreuses caractérisations des composants réalisés permettent de conclure sur la faisabilité des dispositifs, mais de nombreuses difficultés subsistent pour atteindre les performances théoriques.

  • Titre traduit

    High efficiency IMPATT diode technology : with metal GaAs semiconductor contact, with GaInAs/InP heterojonction


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Informations

  • Détails : 1 vol. (150 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université de Lille. Service commun de la documentation. Lilliad Learning Center Innovation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1985-177
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