Section efficace de photoionisation des niveaux profonds dans les semiconducteurs

par Jacques Petit

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Guy Allan et de Michel Lannoo.

Soutenue en 1985

à Lille 1 .


  • Résumé

    Mise en évidence de l'importance de la modification subie par les états de bande et occasionnée par la présence d'un défaut ponctuel sur les propriétés optiques des semiconducteurs. Le calcul est effectué dans l'approximation des liaisons fortes. Application et comparaison des résultats au cas de S, Se, Zn dans le silicium.

  • Titre traduit

    Optical cross section of deep levels in semiconductors


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Informations

  • Détails : 1 vol. (141 f.)
  • Annexes : Bibliogr. f. 136-141

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université de Lille. Service commun de la documentation. Lilliad Learning Center Innovation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1985-169
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