Étude théorique et experimentale du transistor à effet de champ à hétérojonction AlGaAs/GaAs

par Christophe Versnaeyen

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de André Vanoverschelde.

Soutenue en 1985

à Lille 1 .


  • Résumé

    Modélisation de la structure grille-hétérojonction. Caractérisation physique du transistor TEGFET. Caractérisation dynamique du composant TEGFET. Détermination du schéma équivalent.

  • Titre traduit

    AlGaAs/GaAs heterojunction field effect transistor : theoretical and experimental study


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Informations

  • Détails : 1 vol. (112 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. à la suite de chaque partie

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1985-149
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