Mécanismes de conduction à basse température dans le silicium amorphe hydrogéné

par Marc Lefèvre

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Henri Dubois.

Soutenue en 1985

à Lille 1 .


  • Résumé

    Mesure de conductivité en courants alternatif et continu entre 70 et 300k. Discussion des divers mécanismes de conduction : excitation des porteurs dans les états délocalisés, sauts à distance variable au voisinage du niveau de Fermi, saut au plus proche voisin dans les queues de bande

  • Titre traduit

    Low temperature conduction mechanisms in amorphous hydrogenated silicon


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  • Détails : 1 vol. (116 f.)
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