Influence du substrat semi-isolant sur les caractéristiques électriques des transistors à effet de champ Ga As réalisés par implantation ionique

par Jean-François Faucheux

Thèse de doctorat en Sciences appliquées

Sous la direction de Jacques Berry.

  • Titre traduit

    Semi-insulating substrat effect on ion implantation gaas field effect transistor electrical characteristics


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Informations

  • Détails : 1 vol. (119 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p.115-119

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  • Bibliothèque : ISAE-SUPAERO Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace. Service documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 1985/115 FAU
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