Influence de divers additifs sur la germination-croissance de la phase Cu3Si formée par réaction Si-CuC

par Noëlle Gourgouillon

Thèse de doctorat en Sciences physiques

Sous la direction de Pierre Barret.

Soutenue en 1985

à Dijon .


  • Résumé

    Attaque du silicium (poudre ou plaque) par les vapeurs de chlorure cuivreux. Etude cinétique du dégagement de SiCl4. Influence de la pureté du chlorure cuivreux et de l'adjonction de divers chlorures. Etude de la phase Cu::(3)Si par transmission. Attaque de plaques monocristallines de silicium par le chlorure cuivreux fondu. Morphologie des germes de phase Cu::(3)Si. Etude cinétique de la période initiale de la réaction. Influence de la pureté du chlorure cuivreux et de l'adjonction de divers chlorures alcalins, alcalino-terreux, métalliques sur les caractéristiques cinétiques et morphologiques


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Informations

  • Détails : 1 vol. (84 p.)
  • Annexes : Bibliographie. 78. 40 réf.

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  • Bibliothèque : Université de Bourgogne. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : TDDIJON/1985/57
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