Jean-Pierre Bailbé
IdRefMots clés
FR
Transistor puissance
Iii-v compound
Gallium arsenides
Arseniure de gallium
Transistors bipolaires a homojonction
Implantation ionique
Recuit rapide
Arseniure de gallium(asga)
Transistor bipolaire a heterojonction(tbh)
Composant hyperfrequence de puissance
Modele electrique du tbh
Epitaxie par jets moleculaires(ejm)
Contacts ohmiques
Gravure ionique reactive(rie)
Performances dynamiques
Etude comparative
Transistor bipolaire
Transistor heterojonction
Fx
Na