Al Ga N  AlGaN  Aluminium nitrure  Atomic layer method  Binary compound  Bolomètre  Bolomètres  Boîtes quantiques  Bruit en 1/f  Cadmium tellurides  Cadmium tellurure  Caractérisation  Carnot éclairage  Cd te  CdO  Cdte  Cellules Photovoltaïques  Composants avancés à la base du GaN  Compose binaire  Compose ii-vi  Condensation faisceau moleculaire  Contraintes  Couche mince  Couches minces  Couplage exciton-phonon  Cristaux métalliques -- Croissance  Croissance  Croissance VLS  Croissance sélective  DEL  Diode electroluminescente  Diodes électroluminescentes  Dislocation  Dislocations  Dopage Mg  Dopage de type n  Dopage de type p  Doping  Défaillances  Défauts  Dégradation  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  Détecteurs Infrarouge  Eclairage  Effet Hall  Effet contrainte  Electronique  Epitaxie jet moleculaire  Epitaxie par jet moléculaire  Etat condense  Etude experimentale  Excitons  Fabrication microelectronique  Fiabilité  Fil quantique  Films minces  Films minces nanocristallins  Fr  Fx  Ga n  GaAlN  GaAs  GaN  Gallium nitrure  Gan  Graphène  HVPE  Hemt  Heteroepitaxie  Heterojonction  Heterojunction  Heterostructure  Hétérostructures  Hétérostructures quantiques  IBS  Ii-vi compound  Imagerie Infra Rouge  Implantation ionique  InAlN  InGaN  InGaN/ LED  LEDs  Led  Liquides  Luminescence  MET  MOCVD  Magnesium tellurides  Magnesium tellurure  Manganese tellurides  Manganese tellurure  Materiau semiconducteur  Matériaux -- Propriétés optiques  Methode couche atomique  Mg te  MgO  Mgte  Microbolomètres  Microelectronic fabrication  Microscopie  Microscopie électronique en transmission  Microscopie électronique à transmission  Microélectronique  Mn te  Mnte  Mobilité  Molecular beam condensation  Na  Nanofil  Nanofils  Nanoparticules  Nanosondes  Nanostructure  Nanostructures  Nanotechnologie  Nanotechnology  Nc  Nitrure de gallium  Nitrures  Nitrures d’éléments III  Non-Polaire  Nonpolaire  Optoelectronique  Optoélectronique  Oxyde de zinc  Oxydes de métaux de transition  Oxydes des métaux de transition  Phase liquide  Phonons  Photoluminescence  Photoluminescence à température ambiante  Physique  Points quantiques  Propriete magnetique  Propriétés optiques  Protection périphérique  Puit quantique  Puits quantique  Puits quantiques  Quantum wire  Relaxation contrainte  Resistivité  SOI  Science des matériaux  Sciences appliquees  Semi polaire  Semi-Polaire  Semi-conducteurs II-VI  Semiconducteurs -- Dopage  Semiconducteurs  Semipolaire  Silicium  Spectroscopie  Spectroscopie d'admittance  Spectroscopie transitoire des niveaux profonds  Structuration  Structure. Proprietes mecaniques et thermiques  Substrat ZnO  Superlattice  Superreseau  TCR  Technologie silicium sur isolant  Tellurure de cadmium  Thermistances  Thermistor  Transport électronique  VLS  VUV  Vert-jaune LEDs  ZnO  Électronique de puissance  Épitaxie  Épitaxie par faisceaux moléculaires  

Guy Feuillet dirige actuellement la thèse suivante :

Physique des materiaux
En préparation depuis le 31-03-2017
Thèse en préparation

Soutenance prévue le 07-07-2020

Guy Feuillet a dirigé les 13 thèses suivantes :

Matériaux, mécanique, génie civil, électrochimie
Soutenue le 17-10-2014
Thèse soutenue

Génie civil
Soutenue le 13-12-2012
Thèse soutenue

Physique des matériaux
Soutenue le 10-06-2011
Thèse soutenue


Guy Feuillet a été président de jury de la thèse suivante :


Guy Feuillet a été rapporteur des 3 thèses suivantes :


Guy Feuillet a été membre de jury des 4 thèses suivantes :