Alliage Ni/III-V  Alumine  Amplificateurs microondes  Antimoine -- Composés  Arséniure de gallium  Atomic Layer Deposition  Bruit  Bruit thermique  Bruit électronique  Capacité MOS  Caractérisation  Circuits intégrés -- Masques  Circuits intégrés -- Simulation par ordinateur  Circuits intégrés  Circuits intégrés numériques  Circuits intégrés pour microondes  Circuits pour microondes  Composés semiconducteurs  Consommation d'énergie  Couche tampon  Densité d’état d’interface  Densité d’états d’interface  Diodes PIN  Diodes à barrière de Schottky  Dispositifs à microondes  Dispositifs à ondes millimétriques  Diélectrophorèse  Déformations  Détecteur  Détecteurs de microondes  Effet tunnel  Effets de canal court  Faible consommation  FinFET  Grille enrobante  Hétérostructures  InGaAs  Interface oxyde-semiconducteur  Intégration 3D  Lithographie par faisceau d'électrons  Longueur de grille  MOS  MOSFET à ionisation par impact  Microondes  N-Mosfet  Nanodamscène  Nanofils  Nanosilicium  Nanotechnologie  Ondes de plasma  Ondes décimillimétriques  Ondes millimétriques  Optoélectronique  Oscillateurs à microondes  Pente sous le seuil  Phosphore d'indium  Phosphure d'indium  Radiofréquences  Recroissance  Recuit thermique rapide  Report de substrat  Résistance électrique  Semi-Conducteurs III-V  Semiconducteurs  Semiconducteurs III-V  Semiconducteurs à bande interdite étroite  Substrat silicium  Substrats plastiques flexibles  Systèmes de communication sans fil  Systèmes intelligents  TFET  Tension de pincement  Tension de seuil  Transconductance  Transistor auto-aligné  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors Ultra Thin Body  Transistors auto-Alignés  Transistors double grille  Transistors double-grilles  Transistors en couches minces  Transistors à effet de champ  Transistors à effet de champ à ailettes  Transistors à effet de champ à dopage modulé  Transistors à faible consommation  Transistors à haute mobilité d'électrons  Transistors à haute mobilité d'électrons  Transistors à haute mobilité électronique  Transistors à modulation de vitesse  Térahertz  Économies d'énergie  Épitaxie par faisceaux moléculaires  

Sylvain Bollaert a rédigé la thèse suivante :


Sylvain Bollaert a dirigé les 13 thèses suivantes :

Electronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes
Soutenue le 14-12-2017
Thèse soutenue
Electronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes
Soutenue le 30-06-2017
Thèse soutenue
Electronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes
Soutenue le 23-06-2017
Thèse soutenue
Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications
Soutenue le 17-12-2013
Thèse soutenue
Électronique
Soutenue le 11-07-2012
Thèse soutenue
Microondes et microtechnologies
Soutenue le 13-11-2008
Thèse soutenue


Sylvain Bollaert a été président de jury de la thèse suivante :


Sylvain Bollaert a été rapporteur des 2 thèses suivantes :

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 12-07-2018
Thèse soutenue