14nm FDSOI  1s1r  20nm Métal-Gate-Last  28nm Bulk  28nm FD SOI  3-D monolithique  Acceptabilité  Angle de contact  Anodisation locale  Anodisation électrochimique  Appariement  Architecture de mémoire haute densité  Arsenic  Autoalignment des canaux isolants  BEOL intermédiaire  Banc de caractérisation  Benchmarking  Bipolar transistor  Boîtes quantiques  Bruit basse fréquence  Bruit électromagnétique  Bruit électronique  C-V  Capteur  Capteur a nanofils  Capteur biologique  Capteur chimique  Capteur de gaz  Capteur de gaz à base de FET  Capteur de mesure  Caractérisation  Caractérisation électrique  Caractérisation électrique en mode pulsé  Caractérisation électrique en mode quasi statique - QS  Caractérisations électrique  Cbram  Chalcogénures  Charge de surface  Circuit intégré Complementary Metal Oxide SemiConductor - CMOS  Circuits imprimés  Circuits intégrés  Collage direct cuivre  Composant à un électron  Composants électroniques  Conception Proche-Techno  Conductive Bridge Memory  Configuration 1T1R  Configuration cascode  Contact  Contraintes  Cristaux -- Croissance  Crossbar  Crossbars  Culture disciplinaire  Culture sociale  DG-CNFET  Dielectrique interpoly  Dispositifs mémoires  Dispositifs mémoires d'ordinateur  Diélectriques  Dopage in situ  Double patterning  Drift  Dégradation de mobilité  Démonstrateur OxRAM  Dérive de la résistance  Désappariement  Détecteurs de rayonnement infrarouge  Détection de dihydrogène  Développement de questionnaire  Electrochimie  Electrochimie des solides  Electronique  Ellipsométrie  Enjeux E3LS  Epitaxie  Epitaxy  Etude des matériaux et des interfaces  Excitons  FDSOI  Fdsoi  Fiabilité  Fiabilité des mémoires OXRAM  Fiabillité  Filière CMOS  Fluctuations  Ge-rich  Germanium  Gravure  Gravure par plasma  HfO₂. Ta₂O₅  ID  Impédance électrique  Impédance électrochimique  In situ doping  Infrarouge  Intégration 3D  Intégration 3D monolithique  Intégration 3D séquentielle  Intégration dielectric haute permitivité  Intégration monolithique BEOL - back end of line  Isolation électrique  LDEMOS  MOS  MOS complémentaires  MOSFET  Matériaux High-k  Matériaux nanostructurés  Memristors  Mesure  Mesures électroniques  Microbolomètres  Microcanaux  Microfluidique  Microscopie électronique en transmission  Microstructuration de surface  Microstructure  Microélectronique  Modèle analytique  Modèles mathématiques  Monte-Carlo multi-sous-bandes  Monte-Carlo, Méthode de  Morphologie  Mécanismes de défaillance  Mémoire résistive  Mémoires Flash  Mémoires en microélectronique  Mémoires flash  Mémoires non volatiles  Mémoires non-Volatile  Mémoires non-volatiles à accès sélectif  Mémoires resistives complémentaires - CRS  Mémoires résistives  Mémoires résistives OxRAM  Mémoires résistives OxRRAM  Mémoires à changement de phase  Métrologie  NBTI  Nanoarchitectures  Nanocapsules  Nanodamascène  Nanofils  Nanofils de silicium  Nanomédecine  Nanostructuration de surface  Nanotechnologie  Nanoélectronique  Neurosciences  Optoélectronique  Ordinateurs -- Fiabilité  Ordinateurs -- Mémoires  Oxyde de hafnium  Oxyde métallique  PCM  Perception des impacts  Permittivité  Photoluminescence  Photonique  Physique du composant  Plasma  Poches  Point de charge nulle  Procédé nanodamascène  Puces 3D  Puces microélectroniques  Recuit oxydant  Rram  Réseaux de MW-CNTs  Réseaux logiques programmables par l'utilisateur  Résistance d’accès  Résistances therliques  Rétention  Rétention de donnée  Semiconducteurs  Si  Si3N4  SiGe  SiO2  Silicium -- Alliages  Silicium  Silicium poreux  Siliciure  Siliciures  Simulation  Simulations numériques  Soi  Solutions d’intégration  Spectrométrie de masse des ions secondaires  Spectroscopie infrarouge  Stabilité thermique  Supraconducteurs  Techniques de biocapteur  Techniques de précodage  Technologie silicium sur isolant  Texturation de surface de la couche sensible  Transfert de chaleur  Transistor MOSFET - Composant à effet de champ à grille isolée  Transistor bipolaire  Transistor mono-Électroniques - SET  Transistors  Transistors MOSFET  

Abdelkader Souifi a rédigé la thèse suivante :


Abdelkader Souifi a dirigé les 18 thèses suivantes :

Electronique, micro et nano-électronique, optique et laser
Soutenue le 08-07-2016
Thèse soutenue


Abdelkader Souifi a été président de jury des 11 thèses suivantes :

Matériaux, mécanique, génie civil, électrochimie
Soutenue le 02-04-2015
Thèse soutenue
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 06-11-2014
Thèse soutenue

Abdelkader Souifi a été rapporteur des 10 thèses suivantes :

Physique. Micro et nano électronique
Soutenue en 2007
Thèse soutenue


Abdelkader Souifi a été membre de jury des 2 thèses suivantes :