28-nm FD-SOI BiCMOS  3D-TRL  55-nm BiC-MOS  ARV  AlGaN/GaN  Amplificateur de puissance  Amplificateurs de puissance  Amplificateurs haute fréquence  Amplification de puissance  Analyse de circuits intégrés  Analyse de défaillance microélectronique  Analyse des dégradations  Analyse thermique  Auto-échauffement  Back end of line  Barrière Schottky  BiCMOS  Bicouche  Bipolaire  Bipolaires avec des dispositifs complémentaires métal/oxyde/semi-conducteur  Budget thermique  Calibrage  Calibrage TCAO  Calibrage sur puce  Calibrage sur silicium  Cancer  Capacitance thermique  Capacité thermique  Caractérisation  Caractérisation de composants à semi-conducteur  Caractérisation load-pull  Caractérisations de dispositifs à semi-conducteurs  Caractérisations de semi-conducteurs  Cartographie en Emission de lumière dynamique  Cellule mémoire SRAM  Circuit  Circuit intégré  Circuits intégrés -- Simulation par ordinateur  Circuits intégrés  Circuits intégrés analogiques numériques  Circuits intégrés à très grande échelle  Circuits pour l’évaluation de modèles, interactions du composant au circuit  Composants III-V  Conception assistée par ordinateur  Conception assistée par ordinateur  Conception des circuits intègrés  Consommation d'énergie  Contrainte mécanique  Contraintes  Contraintes électrothermiques  Couplage thermique  Couplage thermique intra-device  Couplage thermique mutuel  Courant de grille  De simulation thermique TCAD  De-embedding  Deembedding  Des mesures impulsionnelles  Diodes à barrière de Schottky  Dispositif à des interactions de circuit  Dépiégeage  Détection de photons en temps résolu  Détérioration  Effet Early  Effet des radiations  Effet non quasi-statique  Effet tunnel  Effets électrothermiques  Emploi en diagnostic  Equation de transport de Boltzmann  Extraction de paramètres  Extraction des paramètres  Extraction des paramètres scalables  Fiabilité  Forte injection  GaAsSb  GaN  Graphène  HEMT  HEMTs  Haute-tension  Haute-vitesse  Hautes températures  Hbt  High current model  Hétéro-transistors bipolaires  Hétérojonctions Si/SiGe:C  Iabilité,  Impact thermique du profile de dopage  Implantation de lois de vieillissement  Impédance thermique  InAlN/GaN  InGaAs  InP  InP HBT  International technology roadmap for semiconductors  La modélisation de dispositifs semi-conducteurs  Lasers  Layout des doigts d’émetteur  MOS  MOSFETs  Marges d 'exérèse  Mesure sous pointes  Mesures impulsion  Mesures pulsées  Mesures sous pointes  Microprocesseurs  Modèle Agilent HBT  Modèle HICUM  Modèle HiCuM  Modèle compact  Modèle compact de vieillissement  Modèle géométrique  Modèle électrothermique multi-gémoétries  Modèles mathématiques  Modèles physiques  Modélisation  Modélisation compact  Modélisation compacte  Modélisation d'un dispositif semi-conducteur  Modélisation de composants semi-conducteur  Modélisation du transistor  Modélisation électrothermique  Monocouche  Mosfet  Moyenne-tension  Mécanisme de défaillance  Mémoire non-volatile  Méthode 3ω  Nanofil  Nanofils  Nanotube de carbone  Nanotubes  Nitrure de gallium  Niveau fonctionnel de l'abstraction  Optoelectronique  Optoélectronique  Oscillateur en anneau  Paramètres S  Paramètres en régime de petit signal  Physique du composant  Piégeage  Power-ArchC  Propriétés thermiques  Prédiction de performance  Quantique  Retards de grille de multiplication  Réseau de substrat  Résistance collecteur  Résistance de base  Résistance d’émetteur  Résistance thermique  Résistances externes  Sein -- Cancer  Semiconducteurs  SiGe  SiGe TBH  Silicium-germanium  Simulation  Simulation EM  Simulation Harmonic Balance  Simulation TCAD  Simulation TCAD thermique  Simulation circuit  Simulation du circuit  Simulation par ordinateur -- Logiciels  Simulation par ordinateur  Simulation physique 2D TCAD  Simulation physique  Simulations thermiques TCAD  Simulations unidimensionnelle  Soa  Spectroimagerie  Spectroscopie résolue en temps  Spectroscopie terahertz  Spécifications SOA  Stimulation laser  Stress en polarisation  Structure de test  Sub-THz  Systèmes de communication sans fil  TBH SiGe  TBH à base de SiGe  TCAD  THB  Tbh  Technologie  Technologie BiCMOS  Technologie de conception assistée par ordinateur  Technologie future  Technologie silicium sur isolant  Technologies térahertz  Temps de transit  Temps entre défaillances, Analyse des  Température  Terahertz  Transistor  Transistor bipolaire  Transistors  Transistors bipolaires  Transistors bipolaires à hétérojonctions  

Thomas Zimmer a rédigé la thèse suivante :


Thomas Zimmer dirige actuellement les 2 thèses suivantes :

Electronique
En préparation depuis le 11-01-2018
Thèse en préparation


Thomas Zimmer a dirigé les 20 thèses suivantes :

Sciences physiques et de l'ingénieur. Électronique
Soutenue en 2004
Thèse soutenue

Sciences physiques et de l'ingénieur. Électronique
Soutenue en 2004
Thèse soutenue


Thomas Zimmer a été président de jury des 5 thèses suivantes :


Thomas Zimmer a été rapporteur des 2 thèses suivantes :

Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes
Soutenue le 17-11-2014
Thèse soutenue

Thomas Zimmer a été membre de jury des 4 thèses suivantes :