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Olivier Bonnaud a dirigé les 32 thèses suivantes :

Méthode de modélisation prédictive de boîtiers des circuits intégrés en vue d’anticiper avant design l’immunité au bruit du circuit

par Afef Bouchaala sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue le 02-12-2016

Development and fabrication of vertical thin film transistors based on low temperature polycrystalline silicon technology

par Peng Zhang sous la direction de Olivier Bonnaud et de Régis Rogel . - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 2012

Étude prédictive et réalisation de transistors films minces verticaux à basse température (T<600°C) sur substrat de verre

par Himi Deen Touré sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 2009

Maîtrise des procédés de croissance épitaxiale du silicium monocristallin et polycristallin pour des applications micro-systèmes

par Olivier de Sagazan sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 2005

Réalisation et caractérisation de structures intégrées en technologie BCD de micro-capteurs de positionmagnétiques réalisés à partir de couches de silicum polycristallin dopées in-situ

par Erwann Carvou sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 2003

Réduction des effets de non-linéarités dans une modulation multiporteuse à l'aide de réseaux de neurones

par Sylvain Tertois sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 2003

Etude et amélioration de la fiabilité des composants dédiés aux technologies bipolaire/CMOS/DMOS moyenne tension

par Yannick Rey-Tauriac sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 2003

Réalisation et caractérisation d'une technologie CMOS-TFT à basse température (<600° C)

par Carlos Eduardo Viana sous la direction de Olivier Bonnaud et de Nilton Itiro Morimoto . - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 2002

Conception, réalisation et mise au point d'une technologie CMOS en transistors couches minces sur substrat de verre

par Gaël Gautier sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 2002

Etude du remplissage de tranchées profondes par du silicium polycristallin

par Fabien Pierre sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 2002

Développement, mise en place et optimisation de méthodes de contrôle de fiabilité des technologies bipolaire/CMOS/DMOS au niveau des plaquettes en cours de procédé (WLR)

par Xavier Gagnard sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 2001

Generateurs d'arbres de wallace-dadda reguliers

par ANNE-MARIE GUILLOUX RAYMOND sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Electronique

Soutenue en 2000

Remplacement du tasi 2 par wsi 2 pour la realisation des grilles des transistors des cellules des memoires eeprom : optimisation du procede

par KARINE OGIER MONNIER sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Electronique

Soutenue en 1999

Simulation technologique et electrique de couches de silicium polycristallin application aux transistors couches minces

par Thierry Gaillard sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Electronique

Soutenue en 1999

Etude des jonctions verticales p+n a emetteur en silicium lpcvd fortement dope in-situ au bore

par Malika Idrissi sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 1996

Etude de la metallisation auto-alignee des contacts source/drain : consequences sur l'architecture des transistors mos submicroniques

par MARIE-LAURENCE ROSTOLL sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Physique

Soutenue en 1996

Conception d'un convertisseur numerique analogique en technologie mos pour le traitement de signaux video

par Gilles Tourneur sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 1996

Analyse des parametres physiques et electriques d'une filiere technologie bipolaire i#2l avancee en vue de l'optimisation du procede et de la reduction de ses regles de dessin

par JEAN-LUC LOHEAC sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 1996

Contributions à l'étude d'un processeur s'intégrant dans un réseau systolique linéaire dédié à la comparaison des séquences biologiques

par Mohamed Hadji sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Électronique

Soutenue en 1995

Optimisation du test de circuits integres mixtes analogique-numerique : application a l'interface u 2b/1q

par ARNAUD RIAUDEL sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Sciences appliquées

Soutenue en 1995

Analyse experimentale des parametres electriques de composants cmos soumis a l'irradiation d'une source au cobalt 60 ; impacts de la technologie et de l'etat de conduction des transistors dans les circuits

par DENIS GAUDIN sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Sciences appliquées

Soutenue en 1995

Contribution a l'analyse et a la modelisation du vieillissement statique de transistors nmos submicroniques

par DAVID DORVAL sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Sciences appliquées

Soutenue en 1995

Modélisation numérique de la conduction électrique dans l'hétérojonction émetteur-base d'un transistor bipolaire à émetteur en silicium amorphe

par Abdeljalil Solhi sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Physique

Soutenue en 1993

Developpement d'un systeme expert technologique sur le test parametrique d'une filiere de circuits integres bipolaire silicium haute tension

par LOIC ROLLAND sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Physique

Soutenue en 1993

Caracterisation electrique et analyse de composants integres dans une technologie bipolaire i²l en vue de l'amelioration du procede de fabrication

par AMADOU SEIDOU HASSANE MAIGA sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Physique

Soutenue en 1993

Modelisation des transistors en couches minces au silicium polycristallin petits grains en regimes passant et bloquant

par Malika Kandouci sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Physique

Soutenue en 1993

Développement et caractérisation d'une filière CMOS W/AL 0,5 micron sur substrat soi mince (100 nm)

par Olivier Le Neel sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Physique

Soutenue en 1991

Amelioration des caracteristiques d'un transistor bipolaire a emetteur en silicium amorphe hydrogene : h. modelisation du courant base

par Mustapha Sahnoune sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Physique

Soutenue en 1991

Realisation de jonction pn dans un film mince de silicium polycristallin : analyse et modelisation de la caracteristique courant-tension entre 200 k et 400 k

par Abdelbaki Aziz sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Physique

Soutenue en 1991

Modelisation des transistors en couches minces sur silicium polycristallin a petits grains. Non dope, en mode d'accumulation

par ABDELKADER AMROUCHE sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Physique

Soutenue en 1990

Realisation et caracterisation d'un transistor bipolaire a emetteur en silicium amorphe hydrogene

par Abdelmajid El Gharib sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Physique

Soutenue en 1989

Modelisation mono- et bidimensionnelle des phenomenes electrostatiques dans le silicium polycristallin petits grains : application a l'effet de champ dans une structure mos

par Hervé Lhermite sous la direction de Olivier Bonnaud - Rennes 1

Physique

Soutenue en 1988

Olivier Bonnaud a été président de jury des 4 thèses suivantes :

Développement et caractérisation d'architectures mémoires non volatiles pour des applications basse consommation

par Jonathan Bartoli sous la direction de Frédéric Lalande - Aix-Marseille

Micro et nanoélectronique

Soutenue le 11-12-2015

Réalisation d'un micro-écran OLED haute luminance

par Sébastien Guillamet sous la direction de François Templier et de Gunther Haas . - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanoélectronique et nanotechnologie

Soutenue le 26-06-2015

Caractérisation, mécanismes et applications mémoire des transistors avancés sur SOI

par Sungjae Chang sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble

Sciences et technologie industrielles

Soutenue le 28-10-2013

Etude physique et technologique d'architectures de transistors MOS à nanofils

par Kiichi Tachi sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Thomas Ernst . - Grenoble

Micro et nanoélectronique

Soutenue le 08-07-2011

Olivier Bonnaud a été rapporteur des 9 thèses suivantes :

Etude des dispositifs à dopage électrostatique et des applications dans les technologies FD-SOI

par Kyunghwa Lee sous la direction de Maryline Bawedin et de Sorin Cristoloveanu . - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanoélectronique et nanotechnologie

Soutenue le 10-07-2019

Electrical characterization & modeling of the trapping phenomena impacting the reliability of nanowire transistors for sub 10nm nodes

par Artemisia Tsiara sous la direction de Gérard Ghibaudo - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 06-03-2019

Caractérisation de transistors à effet tunnel fabriqués par un processus basse température et des architectures innovantes de TFETs pour l’intégration 3D

par Carlos Diaz llorente sous la direction de Gérard Ghibaudo - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 27-11-2018

Etude théorique et expérimentale de µ-OLEDs en régime impulsionnel à très haute densité de courant

par Lei Zeng sous la direction de Azzedine Boudrioua et de Alexis Fischer . - Sorbonne Paris Cité

Sciences ingenieur

Soutenue le 20-10-2016

Évaluation des effets des neutrons atmosphériques sur l'électronique embarqué en avionique et recherche de solutions de durcissement

par Sébastien Renard sous la direction de Pascal Fouillat et de Vincent Pouget . - Bordeaux 1

Electronique

Soutenue le 09-12-2013

Elaboration et caractérisation des grilles métalliques pour les technologiesCMOS 32 / 28 nm à base de diélectrique haute permittivité

par Sylvain Baudot sous la direction de Gérard Ghibaudo - Grenoble

Nano électronique et nano technologies

Soutenue le 26-10-2012

Etude prédictive de fiabilité de nouveaux concepts d’assemblage pour des « system-in-package » hétérogènes

par Samed Barnat sous la direction de Hélène Fremont et de Alexandrine Guédon-Gracia . - Bordeaux 1

Electronique

Soutenue le 30-03-2011

Etude des effets singuliers transitoires dans les amplificateurs opérationnels linéaires par photogénération impulsionnelle non linéaire

par Patrice Jaulent sous la direction de Pascal Fouillat et de Vincent Pouget . - Bordeaux 1

Electronique

Soutenue le 29-06-2009

Dépôts Si et SiGe fortement dopés pour applications bipolaires avancées

par Gaël Borot sous la direction de Gérard Ghibaudo et de Laurent Rubaldo . - Grenoble INPG

Physique. Micro et nano électronique

Soutenue en 2007

Olivier Bonnaud a été membre de jury des 5 thèses suivantes :

Dispositifs innovants de la technologie FD-SOI

par Hyungjin Park sous la direction de Jean-Pierre Colinge et de Sorin Cristoloveanu . - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanoélectronique et nanotechnologie

Soutenue le 10-07-2019

Etude des structures MIM à base de dioxyde de titane pour des applications DRAM

par Ahmad Chaker sous la direction de Ahmad Bsiesy - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 21-02-2018

Fabrication et caractérisation de micro-transformateurs planaires à couches magnétiques

par Faouzi Kahlouche sous la direction de Jean-Jacques Rousseau et de Jean-Pierre Chatelon . - Saint-Etienne

Optique, Photonique, Hyperfréquences

Soutenue le 10-06-2014

Caractérisation et modélisation des mémoires Flash embarquées destinées aux applications faible consommation et à forte contrainte de fiabilité.

par Guillaume Just sous la direction de Frédéric Lalande - Aix-Marseille

Micro et Nanoélectronique

Soutenue le 24-05-2013

Fiabilité des assemblages sans plomb en environnement sévère

par Matthieu Berthou sous la direction de Hélène Fremont et de Alexandrine Guédon-Gracia . - Bordeaux 1

Electronique

Soutenue le 21-09-2012