Didier Chaussende
IdRefMots clés
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Carbure de silicium
Dépôt chimique en phase vapeur
Dopage
Croissance cristalline
SiC
Épitaxie
4H-SiC
Semiconducteurs -- Dopage
Composites à matrice céramique
Semiconducteurs à large bande interdite
Cristallogenèse
Électronique de puissance
Cristallogenese
Semiconducteurs
3C-SiC
SiC/SiC
Infiltration en phase liquide
Réaction aux interfaces
Modulation des réactions chimiques
Diamant -- Couches minces