.  0 ta  1  14nm FDSOI  16nm  1s1r  20nm Métal-Gate-Last  28nm Bulk  28nm FD SOI  3D VLSI integration  3d  7 nm  A2ram  ANOVA  Ab initio simulations atomistiques  Ab-Initio  Accelerated test  Activation des dopants  Adn  Ajout d’éléments  Al  Al cu  AlGaN GaN  AlGaN/GaN  Alcu  Alliage binaire  AlumineSONOS  Aluminium  Aluminium alliage  Aluminium alloy  Ampère  Amélioration du rendement  Analyse de performances Mémoire  Appariement  Appariement  Applications embarquées  Architecture 3D  Architecture Crossbar  Architectures de mémoire innovantes  Arsenic  Aspects iono-électroniques  Augmentation de la mobilité des porteurs  Auto-organisation  Autoalignment des canaux isolants  BEOL intermédiaire  BTI  Bandes d’énergie  Basse consommation  Basse température  Basses températures  Binary alloy  Binary compound  Bipolar transistor  Bit quantique  Booster Technologique  Bore  Boron  Boucles de régulation  Bruit 1/f  Bruit  Bruit basse frequence  Bruit basse fréquence  Bruit de génération-recombinaison  Bruit telegraphique  Bruit à basse fréquence  Bruit à basses fréquences  Bruit électrique  Bruit électronique  Btbt  Bti  C++  C-V  CBRAM  CMOS  CMOS avancés  CMOSFETs  CNT  Capteurs biochimiques  Capteurs d'images CMOS  Caracteristique capacite tension  Caracteristique electrique  Caractérisation  Caractérisation Electrique  Caractérisation electrique  Caractérisation physico-chimique des composites organiques  Caractérisation physique  Caractérisation électrique  Caractéristiques I-V et C-V  Caratérisation  Cbram  Cd  Cellules logiques  Chalcogénures  Characterization  Circuit integre  Circuit intégré  Circuits intégrés tridimensionnels  Cmos  Compose binaire  Contrainte  Couche mince  Courant fuite  Dielectrique  Disruption electrique  Diélectriques  Défauts  Défauts électriques -- Localisation  Dégradation par porteurs chauds  Dépôt chimique en phase vapeur  Désappariement  Electronique  FDSOI  Fabrication  Fd-Soi  Fdsoi  Fiabilite  Fiabilité  FinFET  Flash  Fowler nordheim injection  Grille enrobante  Grille métallique  Grille transistor  Hemt  HfO2  Ingénierie  Injection fowler nordheim  Integration  Intégration 3D  Intégration  Intégration CMOS  MOS  MOS complémentaires  Magnétorésistance  Memristors  Microélectronique  Modèle  Modèles mathématiques  Modélisation  Modélisation HCI  Modélisation compacte  Modélisation statistique  Monte-Carlo, Méthode de  Mos  Mosfet  Mémoire résistive  Mémoire à changement de phase  Mémoires flash  Mémoires non volatiles  Mémoires non-volatiles  Mémoires non-volatiles à accès sélectif  Mémoires résistives  Mémoires à changement de phase  Na  Nanofil  Nanofils  Nanotechnologie  Nanoélectronique  Nc  Nitrure de gallium  Ordinateurs -- Mémoires  Ordinateurs -- Mémoires à semiconducteurs  OxRAM  Oxram  Oxyde  Oxyde de hafnium  PCM  Pcm  Permittivité  Porteurs chauds  ReRAM  Relaxation  Reliability  Sciences appliquees  Sciences et techniques  Semiconducteurs  Si  SiGe  Silicium -- Couches minces  Silicium  Silicium sur isolant complétement déplété  Simulation  Simulation par ordinateur  Tcad  Technologie mos complementaire  Technologie silicium sur isolant  Transistor  Transistor MOS  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors bipolaires  Transistors à effet de champ  Transport  Transport électronique  Travail de sortie effectif  Tunnel FET  Variabilité  Variation process  Économies d'énergie  Électronique de puissance  Épitaxie par faisceaux moléculaires  

Gérard Ghibaudo dirige actuellement les 11 thèses suivantes :

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 01-10-2019
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 02-09-2019
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 01-10-2018
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 31-08-2018
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 30-04-2020
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 04-05-2012
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 26-05-2021
Thèse en préparation


Gérard Ghibaudo a dirigé les 95 thèses suivantes :

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 22-09-2020
Thèse soutenue

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 06-11-2014
Thèse soutenue
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 20-10-2014
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 24-09-2013
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 14-12-2011
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 05-12-2011
Thèse soutenue

Physique. Micro et nano électronique
Soutenue en 2007
Thèse soutenue

Physique des composants à semiconducteurs rapides
Soutenue en 2003
Thèse soutenue

Optique, optoélectronique et micro-ondes
Soutenue en 2002
Thèse soutenue

Optique, optoélectronique, micro-ondes
Soutenue en 1993
Thèse soutenue


Gérard Ghibaudo a été président de jury des 41 thèses suivantes :

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 10-07-2019
Thèse soutenue
Sciences pour l'ingénieur: mécanique, physique, micro et nanoélectronique
Soutenue le 07-07-2017
Thèse soutenue

Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 29-11-2013
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 23-10-2013
Thèse soutenue

Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 24-10-2012
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 06-07-2012
Thèse soutenue

Gérard Ghibaudo a été rapporteur des 9 thèses suivantes :

Micro et nanoélectronique
Soutenue le 01-12-2011
Thèse soutenue

Gérard Ghibaudo a été membre de jury des 2 thèses suivantes :