Jean-Claude Portal

7340g  7340k  7361e  7866f   Affichage ecran plat  Agrégats  Aimants permanents  Ajustement individuel de microrésonateur  Al as  Al as ga  Alas  Algaas  Alinas  Aluminium -- Alliages  Aluminium  Aluminium arsenides  Aluminium arseniure  Aluminium gallium arseniure mixte  Aluminium gallium indium arseniure mixte  Aluminium indium arseniure mixte  Antiferromagnétisme  Arrachement  Arseniure de gallium  Arséniure de gallium  As ga  Balisticite  Band structure  Barrière parasite  Basse pression  Basses températures  Billard électronique  Binary compounds  Bistabilite  Bistability  Bombardement ionique  Bore  Brome  Bruit de multiplication  Bruit électronique  Calorimétrie  Capteurs magnetiques  Capteurs optiques  Caracterisation  Carbone  Cartographie  Cavités résonnantes  Centre dx  Centre el2  Champ intense  Champ magnetique  Champ magnetique quantifiant  Champ magnetique transverse  Champs magnétiques  Champs magnétiques intenses  Chlore  Circuit integre  Circuit integre cmos  Circuits intégrés  Coefficient de transmission  Composants électroniques  Compose binaire  Compose mineral  Compose ternaire  Composés semiconducteurs  Concentration porteur charge  Conductance electrique  Conduction électrique  Conductivite electrique  Contrainte  Contraste  Controle non destructif  Corps quadratiques  Correction quantique  Couche mince  Couches minces semiconductrices  Couplage electron phonon  Couplage electron trou  Cristallisation  Croisement niveau  Defaut interface  Defaut profond  Densite etat  Depot chimique phase vapeur  Depot plasma  Developpement liquide  Diffusion  Diodes tunnel  Discontinuité  Dispositif affichage  Dispositif semiconducteur  Dispositifs optoélectroniques  Disruption electrique  Dopage  Dopage plan  Double barriere quantique  Détecteurs de rayonnement infrarouge  Ecran plat  Ecrantage flux  Effet Hall quantique  Effet Hall quantique entier et fractionnaire  Effet Shubnikov de Haas  Effet champ magnetique  Effet magnetophonon  Effet pression  Effet proximite  Effet shubnikov de haas  Effet tunnel  Effet tunnel resonnant  Electroluminescence  Electron-phonon coupling  Electronique  Emission champ  Emission thermoionique  Endommagement  Energie  Etat condense  Etat electronique interface  Etat metastable  Etat resonnant  Etude experimentale  Experimental study  Fabrication microelectronique  Facteur g  Fiabilite  Fissures  Fluctuation  Fluorimétrie  Fonction d'onde de l'accepteur  Fr  Fx  Ga sb  Gaas  Gaas- Gallium antimoniure  Gallium arsenides  Gallium arseniure  Gallium indium arseniure mixte  Gallium indium phosphure mixte  Gasb  Gaz d'électrons  Gaz d'électrons bidimensionnels  Geometrie  Gravimétrie  Gravure humide  Gravure par plasma  Gravure plasma  Grille transistor  Guides d'ondes  Générateur à aimants permanents  Générateurs électriques  Hall quantique, Effet  Heterojonction  Heterostructure  Heterostructures  HgCdTe  Homogeneite  Hydrostatique  Hétérojonction  Icp  Iii-v semiconductors  Image aerienne  Implantation ion  Ingaas  Integration verticale  Interaction electron phonon  Interactions électron-phonon  Interconnexion optique  Intégration en 3D  Intéraction  Intéraction électron-phonon  Ions -- Implantation  Lithographie par faisceau d'électrons  MOS  MOS complémentaires  Magnetoconductivite  Metaux, metallurgie  Microondes  Nc  Nk  Pac  Photoconductivite  Photoconductivité  Physique  Pression hydrostatique  Procede fabrication  Proprietes electriques, magnetiques, optiques  Puits quantiques  Sciences appliquees  Sciences et techniques  Semiconducteur iii-v  Semiconducteurs -- Dopage  Semiconducteurs  Semiconducteurs à l'arséniure de gallium  Structure bande  Superreseau  Superréseaux  Systèmes mésoscopiques  Transport des électrons, Théorie du  Transport electronique  Transport, Théorie du  

Jean-Claude Portal a dirigé les 51 thèses suivantes :

Matériaux technologie et composants de l'électronique
Soutenue le 01-10-2010
Thèse soutenue
Matériaux, technologie et composants pour l'électronique
Soutenue en 2009
Thèse soutenue

Matériaux pour l'Électronique et l'Ingénierie des Plasmas
Soutenue en 2005
Thèse soutenue

Matériaux, technologie et composants de l'électronique
Soutenue en 2001
Thèse soutenue

Matériaux, technologie et composants de l'électronique
Soutenue en 2001
Thèse soutenue

Matériaux, technologie et composants de l'électronique
Soutenue en 1999
Thèse soutenue

Matériaux, technologies et composants pour l'électronique
Soutenue en 1998
Thèse soutenue

Matériaux, technologies et composants pour l'électronique
Soutenue en 1997
Thèse soutenue

Matériaux, technologies et composants pour l'électronique
Soutenue en 1997
Thèse soutenue

Matériaux, technologies et composants pour l'électronique
Soutenue en 1997
Thèse soutenue

Physique de la matière et du rayonnement
Soutenue en 1997
Thèse soutenue

Matériaux, technologies et composants pour l'électronique
Soutenue en 1996
Thèse soutenue

Physique et structure des solides
Soutenue en 1994
Thèse soutenue

Physique, matière, rayonnement
Soutenue en 1992
Thèse soutenue

Micro-électronique
Soutenue en 1991
Thèse soutenue

Physique et structure des solides
Soutenue en 1990
Thèse soutenue