4H-SiC  Accord de phase  Accord de phase modale  Aluminium-oxynitrure  Amplificateurs haute fréquence  Analyse SIMS et C-V  Analyse harmonique  Auto-organisée  Caractérisation  Carbure de silicium  Cartographie de l’espace réciproque  Cathodoluminescence  Circuits CMOS  Co-intégration  Compétition de site  Contraintes  Contraintes  Couverture de surface  Croissance directe  Croissance sélective  DELs  Diode électroluminescente  Diodes PN  Diodes électroluminescentes  Dislocations  Dopage Si  Défauts structuraux  Déformations  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  EPVOM  GaN  Graphène  Guides d'ondes  Guides d’ondes en Nitrure d’éléments III  Génération de deuxième harmonique  Hydrogène  III-N  InGaN/ Incorporation N et Al  Inversion de polarité  LEDs  Laser à polaritons  Lasers  Localisée  MOCVD  MOS complémentaires  Mesure LPTL  Microscopie électronique en transmission  Microscopie électronique à transmission  Mobilité  N-polaire  Nanofils  Nanostructures  Nitruration  Nitrure de gallium  Nitrure de gallium  Nitrure d’aluminium  Nitrures  Nitrures d’éléments III  Nonpolaire  Ondes millimétriques  Optique non linéaire  Optique non linéaire intégrée  Oxyde de zinc  Paramètre de maille  Photoluminescence  Photoluminescence à température ambiante  Polarisation excitonique  Polaritons  Polarité  Polarité du matériau  Porteurs libres  RF  Résonance optique  Résonances optiques  Semi-conducteurs III-V  Semi-polaire  Semiconducteurs  Semipolaire  Silicium  Silicium poreux  Substrat ZnO  Texturation  Transistor de puissance  Transistor à haute mobilité électronique  Transistor à haute mobilité électronique  Transistors  Transistors de puissance  Umpolung  Vert-jaune LEDs  Zno  Épitaxie  Épitaxie CVD  Épitaxie en phase vapeur d'organométalliques  Épitaxie par faisceaux moléculaires  Épitaxie sous jets moléculaires  

14 thèses soutenues ayant pour partenaire de recherche Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (Sophia Antipolis, Alpes-Maritimes)
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