4H-SiC  Accord de phase  Accord de phase modale  AlGaN  Aluminium-oxynitrure  Amplificateurs haute fréquence  Analyse SIMS et C-V  Analyse harmonique  Auto-organisée  Caractérisation  Carbure de silicium  Cartographie de l’espace réciproque  Cathodoluminescence  Circuits CMOS  Co-intégration  Composants optiques  Compétition de site  Contact Schottky  Contacts ohmiques  Contraintes  Contraintes  Courant de fuite  Couverture de surface  Croissance  Croissance directe  Croissance hybride  Croissance sélective  DELs  Diode électroluminescente  Diodes PN  Diodes électroluminescentes  Dislocations  Dopage  Dopage Si  Dopage germanium  Défauts structuraux  Déformations  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  EPVOM  Efficacité de diffraction  GaN  Graphène  Guides d'ondes  Guides d’ondes en Nitrure d’éléments III  Génération de deuxième harmonique  Holographie  Hydrogène  Hétérostructure  Hétérostructures  III-N  InAlGaN  InAlN  InGaN/ Incorporation N et Al  Ingénierie de la polarisation  Inversion de polarité  Jonctions tunnel  LED  LEDs  Laser à cascade quantique  Laser à polaritons  Lasers  Lasers à cascade quantique  Lithographie par Nanoimprint  Localisée  MBE  MOCVD  MOS complémentaires  MOVPE  Matériaux optiques  Matériaux semi-conducteurs  Mesure LPTL  Microscopie électronique en transmission  Microscopie électronique à transmission  Mobilité  Moment angulaire orbital  Montée en fréquence  Méta-hologramme  Méta-lentille  Méta-optiques  Métamateriaux  Métamatériaux  Métasurfaces  N-GaN  N-polaire  Nanofils  Nanostructures  Nitrude de gallium d’aluminium  Nitruration  Nitrure de Gallium  Nitrure de gallium  Nitrure de gallium  Nitrure d’aluminium  Nitrures  Nitrures d’éléments III  Niveaux profonds  Nonpolaire  Ondes millimétriques  Optique non linéaire  Optique non linéaire intégrée  Optoélectronique  Oxyde de zinc  Paramètre de maille  Photoluminescence  Photoluminescence à température ambiante  Polarisation excitonique  Polaritons  Polarité  Polarité du matériau  Porteurs libres  RF  Recroissance  Réseau à fort contraste d’indice  Résonance optique  Résonances optiques  SOI  Semi polaire  Semi-conducteurs III-V  Semi-polaire  Semiconducteurs  Semipolaire  Silicium  Silicium poreux  Spectroscopie  Spectroscopie transitoire des niveaux profonds  Structuration  Sublimation sélective  Substrat ZnO  TLM  Technologie silicium sur isolant  Texturation  Transistor de puissance  Transistor à haute mobilité électronique  Transistor à haute mobilité électronique  Transistors  Transistors de puissance  Transition intersousbande  Umpolung  Vert-jaune LEDs  Zno  Épitaxie  Épitaxie CVD  Épitaxie en phase vapeur d'organométalliques  Épitaxie par faisceaux moléculaires  Épitaxie par jets moléculaires  Épitaxie sous jets moléculaires  

22 thèses soutenues ayant pour partenaire de recherche Centre de recherche sur l'hétéro-épitaxie et ses applications (Sophia Antipolis, Alpes-Maritimes)
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