Alain Claverie
Alain Claverie a dirigé les 19 thèses suivantes :
Strain integration and performance optimization in sub-20nm FDSOI CMOS technology
par Rémy Berthelon sous la direction de Alain Claverie - Toulouse 3
Physique
Soutenue le 26-04-2018
Etude du piégeage de l’hydrogène implanté et application au transfert de couches fines de silicium
par Aurélie Royal sous la direction de Alain Claverie et de Frédéric Mazen . - Toulouse 3
Sciences et génie des matériaux
Soutenue le 27-01-2017
Déformations introduites lors de la fabrication de transistors FDSOI : une contribution de l'holographie électronique en champ sombre
par Victor Boureau sous la direction de Alain Claverie , Daniel Benoit et de Martin Hÿtch . - Toulouse 3
Nano-physique, nano-composants, nano-mesures
Soutenue le 05-04-2016
Précipitation et contrainte dans le silicium implanté par hydrogène
par François-Xavier Darras sous la direction de Nikolay Cherkashin et de Alain Claverie . - Toulouse 3
Sciences et génie des matériaux
Soutenue le 10-06-2015
Influence of Smart Cut™ technological steps on thickness uniformity of SOI wafers : multi-scale approach
par Pablo Eduardo Acosta Alba sous la direction de Alain Claverie et de Oleg Kononchuk . - Toulouse 3
Nano-physique, nano-composants, nano-mesures
Soutenue en 2014
Stress transfer in ultimate transistors through SiN deposits : study by electron holography and finite element modelling
par Patrizio Benzo sous la direction de Alain Claverie et de Daniel Bensahel . - Toulouse 3
Physique de la matière
Soutenue en 2013
Caractérisation de l'implantation par immersion plasma avec pulsion(r) et intégration dans la fabrication de transistors FD-SOI et Trigate
par Julian Duchaine sous la direction de Alain Claverie - Toulouse 3
Génie électronique
Soutenue en 2012
Mécanismes de base dans la co-implantation hélium - hydrogène du silicium
par Nicolas Daix sous la direction de Alain Claverie - Toulouse 3
Nanophysique
Soutenue en 2009
Mesures de déformations dans des dispositifs de la microélectronique par microscopie électronique en transmission en haute résolution et holographie en champ sombre
par Florian Hüe sous la direction de Alain Claverie et de Martin Hÿtch . - Toulouse 3
Nanophysique
Soutenue en 2008
Implantation, diffusion et activation des dopants dans le germanium
par Stéphane Koffel sous la direction de Pascal Scheiblin et de Alain Claverie . - Grenoble INPG
Matériaux, mécanique, génie civil, électrochimie
Soutenue en 2008
Ingénierie de défauts ponctuels pour le contrôle de la diffusion et de l’activation du Bore dans le Silicium
par Olivier Marcelot sous la direction de Alain Claverie - Toulouse, INSA
Nanophysique
Soutenue en 2007
Contribution à l'étude et à l'intégration en technologie CMOS avancée de jonctions ultra minces et fortement dopées formées par des procédées à faible budget thermique
par Rebha El Farhane sous la direction de Alain Claverie et de Aomar Halimaoui . - Toulouse 3
Matériaux, technologie et composants de l'électronique
Soutenue en 2005
Etude de l'oxydation de nanocristaux de Si fabriqués par implantation ionique à basse énergie dans des couches minces de SiO2 : application aux mémoires non volatiles à base de nanocristaux
par Hubert Coffin sous la direction de Alain Claverie et de Caroline Bonafos . - Toulouse 3
Matériaux et composants de l'électronique
Soutenue en 2005
Evolution cinétique des défauts {113} en cours de recuit thermique de silicium implanté : influence sur la diffusion des dopants
par Pascal Calvo sous la direction de Alain Claverie et de Filadelfo Cristiano . - Toulouse 3
Matériaux, technologies et composants de l'électronique
Soutenue en 2004
Contributions à l'étude de la diffusion, de l'agglomération et de l'activation du bore dans le silicium : application à la réalisation de jonctions ultraminces P+/N pour le MOS fortement submicronique
par Xavier Hébras sous la direction de Alain Claverie et de Filadelfo Cristiano . - Toulouse 3
Matériaux technologies et composantes de l'électronique
Soutenue en 2003
Manipulation de nanoparticules de Si elaborées par implantation ionique à basse énergie dans des couches minces de SiO2 pour la fabrication de mémoires MOS non volatiles
par Marzia Carrada sous la direction de Alain Claverie et de Caroline Bonafos . - Toulouse 3
Physique de la matière
Soutenue en 2003
Interactions entre défauts étendus et anomalies de diffusion des dopants dans le silicium : modèle physique et simulations prédictives
par Benjamin Colombeau sous la direction de Alain Claverie - Toulouse 3
Matériaux, technologies et composants de l'électronique
Soutenue en 2001
Diffusion acceleree et transitoire du bore dans le silicium : influence des defauts etendus et de la surface de la plaquette
par MOURAD OMRI sous la direction de Alain Claverie - Toulouse 3
Sciences appliquées
Soutenue en 1999
Rôle des défauts End-Of-Range dans la diffusion anormale du bore
par Caroline Bonafos sous la direction de Alain Claverie - Toulouse, INSA
Physique de la matière
Soutenue en 1996
Alain Claverie a été président de jury des 3 thèses suivantes :
Modélisation physique des procédés de fabrication des jonctions FDSOI pour le nœud 10 nm et en-deçà
par Anthony Payet sous la direction de Patrice Gergaud et de Ignacio Martin-Bragado . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Physique des matériaux
Soutenue le 18-05-2017
Intégration d'un interposeur actif silicium pour l'élaboration de circuits électroniques complexes
par Benjamin Vianne sous la direction de Olivier Thomas - Aix-Marseille
Matière condensée et nanosciences
Soutenue le 27-06-2016
Modélisation physique de la réalisation des jonctions FDSOI pour le noeud 20nm et au-delà
par Benoît Sklénard sous la direction de Sorin Cristoloveanu - Grenoble
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 10-04-2014
Alain Claverie a été rapporteur des 7 thèses suivantes :
Simulation des mécanismes de changement de phase dans des mémoires PCM avec la méthode multi-champ de phase
par Raphaël Bayle sous la direction de Mathis Plapp - Institut polytechnique de Paris
Physique
Soutenue le 07-07-2020
Super-réseaux GeTe/Sb2Te3 pour les mémoires iPCM : croissance PVD par épitaxie van der Waals et étude de leur structure
par Philippe Kowalczyk sous la direction de Christophe Vallée - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 13-12-2018
Study of Thermal Oxidation of SiGe for Advanced CMOS FD-SOI Technologies
par Fabien Rozé sous la direction de Elisabeth Blanquet et de François Bertin . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
Soutenue le 08-03-2018
Modélisation par théorie élastique et potentiels empiriques des boucles de dislocation interstitielles dans l’UO2 pour la dynamique d’amas
par Arno Le Prioux Halna du Fretay sous la direction de Philippe Maugis et de Thomas Jourdan . - Aix-Marseille
Physique et sciences de la matière
Soutenue le 06-02-2017
Étude des défauts bidimensionnels à base d'hélium dans le silicium - Application au transfert de films minces
par Maxime Vallet sous la direction de Marie-France Beaufort et de Jean-François Barbot . - Poitiers
Milieux denses, matériaux et composants
Soutenue le 05-09-2014
Étude par Dynamique d’Amas de l’influence des défauts d’irradiation sur la migration des gaz de fission dans le dioxyde d’uranium
par Richard Skorek sous la direction de Philippe Maugis et de Alain Barbu . - Aix-Marseille
Matière condensée et Nanosciences
Soutenue le 15-10-2013
Réalisation par adhésion moléculaire d'un substrat induisant l'auto-organisation latérale et contrôlée du dépôt de nanostructures
par Frank Fournel sous la direction de Noël Magnéa et de Hubert Moriceau . - Grenoble 1
Milieux denses et matériaux
Soutenue en 2001
Alain Claverie a été membre de jury de la thèse suivante :
Caractérisation et contrôle industriel des contraintes locales en microélectronique : applications aux transistors de technologie 20 nm
par Aurèle Durand sous la direction de Patrice Gergaud et de Razvigor Ossikovski . - Université Grenoble Alpes (ComUE)
Physique appliquée
Soutenue le 29-11-2016
