5G  AlGaN/GaN  Alliage silicium-germanium  Amplificateurs de puissance  Amplificateurs haute fréquence  Amplificateurs microondes  Analyseur de réseau non linéaire  Antenne  Antennes  Antimoine -- Composés  Antimoniure d'indium  Arséniure de gallium  Back end of line  Backhaul  Basses températures  BiCMOS  Bruit  Bruit radioélectrique  Bruit électrique  Bruit électronique  Capacitance thermique  Capacité variable digitale  Caractérisation de composants à semi-conducteur  Caractérisation load-pull  Circuit intégrés 3D  Circuits intégrés  Circuits intégrés pour microondes  Circuits pour l’évaluation de modèles, interactions du composant au circuit  Circuits pour microondes  Circuits électroniques -- Bruit  Conception assistée par ordinateur  Contacts métal-semiconducteur  Couplage substrat  Couplage thermique intra-device  Dispositifs à ondes millimétriques  Détection des eaux souterraines  Eaux souterraines  Effets de la température  Effets électrothermiques  Fréquences de coupure  Gallium -- Composés  Germanium  Géoradar  HEMT  HEMT GaN  Hétérostructures  Impact thermique du profile de dopage  Impression 3D  Impression à jet d'encre  Impédance thermique  Impédance électrique  InAlN/GaN  Interférométrie  Layout des doigts d’émetteur  Lignes de transmission  Lignes de transmission pour microondes  Lignes à bandes  MOS complémentaires  MOSFET froid  Mesure  Mesures microondes  Mesures pulsées  Mesures électriques  Microondes  Microscopie à force atomique  Modèle HiCuM  Modèles mathématiques  Modèles physiques  Modèles électriques non linéaires  Modélisation de composants semi-conducteur  Modélisation électrique  Modélisation électrothermique  Mélangeurs hyperfréquences  Méthode 3ω  Nanocapacités  Nanoparticules d'or  Nanotechnologie  Nanotransistors  Nanoélectronique  Nitrure de gallium  Ondes décimillimétriques  Ondes millimétriques  Ondes radioélectriques  Ondes électromagnétiques -- Propagation  Ondes électromagnétiques  Oscillateurs à microondes  Radar  Radar à onde continue modulée en fréquence  Radar à pénétration de sol  Radiofréquences  Résistance thermique  Schéma équivalent  Semiconducteurs -- Attaque chimique  Semiconducteurs -- Recombinaison  Semiconducteurs  Silicium -- Substrats  Simulation électriques  Simulations thermiques TCAD  Spécifications SOA  Systèmes accordables  Systèmes de communication sans fil  Technologie silicium sur isolant  Tension de seuil  Thermo-compression  Train d'impulsions non périodique  Transfert de substrat  Transistor bipolaire à hétérojonction  Transistors MOS  Transistors MOSFET  Transistors bipolaires  Transistors bipolaires à hétérojonction  Transistors bipolaires à hétérojonctions  Transistors à effet de champ  Transistors à haute mobilité d'électrons  Tuners d'impédances  Télédétection  Varactors  Vias traversant le silicium  Électronique souple  Épitaxie  Étalonnage  

Gilles Dambrine a rédigé la thèse suivante :


Gilles Dambrine a dirigé les 16 thèses suivantes :

Micro et nanotechnologies, Acoustique et Télécommunications
Soutenue le 19-07-2016
Thèse soutenue
Micro et nanotechnologies, acoustique et télécommunications
Soutenue le 11-12-2014
Thèse soutenue


Gilles Dambrine a été président de jury des 2 thèses suivantes :

Micro-ondes, Électromagnétisme et Optoélectronique
Soutenue le 25-11-2014
Thèse soutenue

Gilles Dambrine a été rapporteur des 3 thèses suivantes :

Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et Systèmes
Soutenue le 17-11-2014
Thèse soutenue