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Alain Declémy

Alain Declémy a rédigé la thèse suivante :

Etude photodynamique à l'échelle de la picoseconde des changements de conformation moléculaire induits par excitation optique dans des composés organiques en phase dense

Alain Declémy a dirigé les 6 thèses suivantes :

Etude à l'échelle atomique de l'implantation du fer dans le carbure de silicium (SiC) : Elaboration d'un semiconducteur magnétique dilué à température ambiante.

Apport de la sonde atomique tomographique dans l'étude structurale et magnétique du semi-conducteur magnétique 6H-SiC implanté avec du fer : vers un semi-conducteur magnétique à température ambiante

Etude de l'implantation d'atomes de fer dans le carbure de silicium 6H- en vue de l'élaboration d'un nouveau semi-conducteur magnétique dilué

Damage induced by helium implantation in silicon carbide

Contribution à l'étude des défauts introduits par implantation ionique dans HgCdTe

par Patrick Lévêque sous la direction de Alain Declémy - Poitiers

Etude des défauts d'implantation dans le Hg 0,8 Cd 0,2 Te par diffusion diffuse des RX près des taches de Bragg

Alain Declémy a été membre de jury de la thèse suivante :

Strain and defects in irradiated materials : a study using X-ray diffraction and diffuse scattering

Alain Declémy

Alain Declémy a rédigé la thèse suivante :

Etude photodynamique à l'échelle de la picoseconde des changements de conformation moléculaire induits par excitation optique dans des composés organiques en phase dense

Alain Declémy a dirigé les 6 thèses suivantes :

Etude à l'échelle atomique de l'implantation du fer dans le carbure de silicium (SiC) : Elaboration d'un semiconducteur magnétique dilué à température ambiante.

Apport de la sonde atomique tomographique dans l'étude structurale et magnétique du semi-conducteur magnétique 6H-SiC implanté avec du fer : vers un semi-conducteur magnétique à température ambiante

Etude de l'implantation d'atomes de fer dans le carbure de silicium 6H- en vue de l'élaboration d'un nouveau semi-conducteur magnétique dilué

Damage induced by helium implantation in silicon carbide

Contribution à l'étude des défauts introduits par implantation ionique dans HgCdTe

Etude des défauts d'implantation dans le Hg 0,8 Cd 0,2 Te par diffusion diffuse des RX près des taches de Bragg

Alain Declémy a été membre de jury de la thèse suivante :

Strain and defects in irradiated materials : a study using X-ray diffraction and diffuse scattering