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Ghanem Marrakchi

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a dirigé 2 thèses

Attaque chimique CDTE Caractérisations Cathodoluminescence Dislocations Dislocations dans les cristaux Détecteur rayons X Détecteurs Détecteurs de rayonnement IBIC Microélectronique Photoluminescence Recuit thermique rapide Sciences et technologies de l'information et de la Communication Semiconducteurs -- Défauts Semiconducteurs Semiconducteurs à l'arséniure de gallium Spectroscopie Techniques des impulsions

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Attaque chimique CDTE Caractérisations Cathodoluminescence Dislocations Dislocations dans les cristaux Détecteur rayons X Détecteurs Détecteurs de rayonnement IBIC Microélectronique Photoluminescence Recuit thermique rapide Sciences et technologies de l'information et de la Communication Semiconducteurs -- Défauts Semiconducteurs Semiconducteurs à l'arséniure de gallium Spectroscopie Techniques des impulsions

Ghanem Marrakchi a rédigé la thèse suivante :

Etude comparative de différentes techniques de recuit rapide sur les défauts électriquement actifs dans l’arséniure de gallium non implante

par Ghanem Marrakchi sous la direction de Alain Nouailhat - Lyon, INSA

Dispositif de l’électronique intégrée

Soutenue en 1987

Thèse soutenue

Ghanem Marrakchi dirige actuellement la thèse suivante :

Modélisation de panneaux photovoltaïques et adaptation de la cyclostationnarité pour le diagnostic

par Mohammed Telidjane sous la direction de Mohamed El Badaoui , Ghanem Marrakchi et de Frédéric Bonnardot . - Lyon

Electronique, microelectronique, optique et lasers, optoelectronique microondes robotique

Soutenue le 13-07-2017

Thèse en préparation

Ghanem Marrakchi a dirigé les 2 thèses suivantes :

Etude des corrélations entre les défauts structuraux et les inhomogénéités spatiales des détecteurs de rayons X à base de CdTe pour l'imagerie médicale

par Camille Buis sous la direction de Ghanem Marrakchi - Saint-Etienne

Image, Vision, Signal

Soutenue le 11-10-2013

Thèse soutenue

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Caractérisation de matériaux semi-isolants par spectroscopie de transitoire de courant photoinduit : matériaux InP dopés Fe pour la micro-optoélectronique et CdZnTe pour la détection nucléaire

par KARIM CHERKAOUI sous la direction de Ghanem Marrakchi - Lyon, INSA

Electronique

Soutenue en 1998

Thèse soutenue