1t-Dram  AMDE, Méthode  Absorption par deux photons  Amplificateur audio analogique  Analyse de défaillance  Analyse de défaillance microélectronique  Apprentisage automatique  Automobile  Automobiles -- Équipement électronique  Banc VF-TLP  Banc de test EOS  Boucle d'asservisement  CDM  CI analogique et mixte  CMOS 65 nm basse puissance  Capteur sans fil  Cartographie en Emission de lumière dynamique  Cd  Chaine de markov  Circuit integre  Circuit puissance  Circuits de commutation  Circuits intégrés  Circuits intégrés à très grande échelle  Commande prédictive  Commande robuste  Commande électronique  Compatibilité électromagnétique  Compensation  Composants électroniques  Conservation de l'énergie  Contrôle actif  Conversion photovoltaïque  Device simulation  Dielectrique  Diode Schottky  Diodes à barrière de Schottky  Diélectriques  Décharges électriques  Décharges électrostatiques  Décharges électrostatiques  Défaut dynamique  Défauts latents  Détection de photons en temps résolu  ESD  ESD système  Effets singuliers  Electrical Overstress  Electronique  Electrostatic discharge  Electrostatiques discharges  Emission par porteurs chauds  Esd  Faisceaux laser  Fdsoi  Fiabilité  Fixation puce  Full-chip fiabilité  Gestion de l’énergie  Haute température  Haute tension  Iec 61000-4-2  Instrumentation  Interaction laser/Silicium  Isolation electrique  Isolation électrique  LVI  Laser stimulation  Lasers -- Applications industrielles  Lasers  Localisation de défauts  Localisation de défauts « soft »  MOS  MOS complémentaires  Markov, Processus de  Mesure de bruit basse fréquence  Methode directe  Modulation des bandes  Modèles entité-association  Modélisation  Modélisation SPICE  Modélisation et simulations électriques de l’interaction faisceau laser-CI  Modélisation résistance de substrat  Modélisation électrothermique  Mos-igbt  Méthodologie de simulation  Nanoélectronique  Nbti  Nc  Non-linéaire  Photoabsorption  Photovoltaïque  Photoémission  Phénomène photo-thermique et photoélectrique  Porteurs chaud  Porteurs chauds  Processeurs  Produit d'apport  Propagation du signal  Protection  Protection ESD  Prédiction  Robustesse  Robustesse fonctionnelle  Robustness  Récupération d'énergie  Récupération d’énergie  Régime transitoire  Réseaux corporels sans fils  Réseaux électriques  SPICE  SPICE modeling  SSHI  Scr  Semiconducteurs de puissance  Signal, Théorie du  Silicium  Silicium sur isolant complétement déplété  Simulation 3D  Simulation  Simulation TCAD  Simulation par ordinateur  Simulation physique  Single Event Burnout  Soi  Spectroscopie résolue en temps  Stimulation laser  Stimulation par faisceau laser continu en faible perturbation  Stockage adaptif  Supercondensateurs  Surtension  Systèmes autonomes en énergie  Systèmes autonomes sans batterie  TCAD simulation  TFI  Tcad  Tddb  Techniques PICA et TRE  Techniques xVM  Technologie silicium sur isolant  Temps entre défaillances, Analyse des  Tension de bulk  Test par faisceau Laser pulsé  Test par faisceau laser pulsé TPA  Thermoréflectance  Thermoélectricité  Thyristors  Tlp  Totalement déserté  Transistors MOSFET  Transistors bipolaires  Transistors bipolaires à grille isolée  Transitoire  Variations de procede  Vf-TLP  Vhld-ams  Vieillissement  WSN  Électromigration  Électronique de puissance  Électrostatique  Énergie -- Stockage  

Marise Bafleur a rédigé la thèse suivante :


Marise Bafleur a dirigé les 16 thèses suivantes :


Marise Bafleur a été président de jury de la thèse suivante :


Marise Bafleur a été rapporteur des 9 thèses suivantes :