1t-Dram  BEOL intermédiaire  Back-Bias  Basse température  Bruit basse fréquence  Bruit basse fréquence  CMOS  CMOS avancé  Capacité MOS  Capacité quasi-statique  Capteur d’image CMOS  Capteurs d'images CMOS  Caractérisation  Caractérisation electrique  Caractérisation physico-chimique  Caractérisation électrique  Caractérisations électriques  Cellule mémoire à un transistor.  Celo  Cmos avancé  Collage  Collage métallique des plaques  Commutation abrupte  Couplage électrique  Diode à grille  Dispositifs avancés microélectronique  Décharges électrostatiques  EDMOS  ESD  Effet bipolaire parasite  Effet tunnel  Effet tunnel bande à bande  Effets de canal court  Effets de couplage  Effets des rayonnements  Ellipsométrie  Esd  FDSOI  Fabrication  Fd soi  Fd-Soi  Fd-soi  Fdsoi  Fiabilité  FinFET  Gain bipolaire  Grille arrière  Hall, Effet  IO  InGaAs  Intégration 3D  Intégration 3D séquentielle  Intégration des procédés de fabrication  L'effet de body flottant  MOS  MOS complémentaires  MOS haute tension  MOSFET  MOSFET  Magnétorésistance  Memoires non-volatiles  Microélectronique  Mobilité  Modulation des bandes  Modèle Monte Carlo  Modèles mathématiques  Modélisation  Monte Carlo cinétique  Monte Carlo multi-subband  Monte-Carlo, Méthode de  Mosfet  Mémoire  Méthodes multigrilles  Nanofils SiGe  Nanoparticules d’or  Nanotechnologie  Nanoélectronique  Neuromorphique  Omega FET  Orientation en crystal  PDSOI  Pente sous le seuil  Photodiodes  Protection  Protections  Protections ESD  Pseudo MOSFET  Pseudo-MOSFET  Puissance ultra basse  Quantification en raison de la taille  Quantum effects  Recroissance épitaxiale  Rétroaction  SOI  SOI FinFET  SOI FinFET sans jonctions  SOI fortement dopé  Semiconducteur sur isolant  Semiconducteurs  Semiconducteurs III-V  SiGe  Silicium -- Substrats  Silicium sur isolant  Silicium-Sur-Isolant  Silicium-sur-isolant  Siliciure  Siliciures  Simulation  Simulation par ordinateur  Soi  Split C-V  Split-CV  Ssoi  Stabilité thermique  Statique ID-VG  TCAD  TFET  TFTs  TLP  Tcad  Technologie silicium sur isolant  Thyristor  Thèses et écrits académiques  ToF-SIMS  Totalement déserté  Tranchée Profonde Capacitive  Transistor  Transistor SOI à quatre grilles  Transistor multi-grille  Transistor nanofils  Transistors -- Effets des rayonnements  Transistors  Transistors CMOS  Transistors MOSFET  Transistors multigrilles  Transistors à effet de champ  Transport de canal , Matériaux  Transport de canal , Modélisation  Transport des électrons, Théorie du  Triac  Tungstène  Tunnel FET  UTBOX  Ultra basse consommation  Z2-FET  ZnO  Électrostatique  Épitaxie  

Sorin Cristoloveanu dirige actuellement les 3 thèses suivantes :

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 18-04-2016
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 04-04-2016
Thèse en préparation

Nano electronique et nano technologies
En préparation depuis le 14-09-2015
Thèse en préparation


Sorin Cristoloveanu a dirigé les 48 thèses suivantes :

Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 22-01-2016
Thèse soutenue
Nanoélectronique et nanotechnologie
Soutenue le 24-11-2015
Thèse soutenue

Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 28-10-2013
Thèse soutenue
Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 23-07-2012
Thèse soutenue

Optique, optoélectronique, micro-ondes
Soutenue en 1991
Thèse soutenue


Sorin Cristoloveanu a été président de jury de la thèse suivante :


Sorin Cristoloveanu a été rapporteur de la thèse suivante :


Sorin Cristoloveanu a été membre de jury de la thèse suivante :